Технологии

Модулът с размери на чип, изработен от слоеве галиев нитрид (GaN) върху евтина силициева основа, може да издържи на близо 4 kV преди да се повреди – рекордна стойност за този тип технология...

S-Transistors, основана във финландския изследователски център VTT, набра финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас интегрални схеми на базата на свръхпроводникови транзистори...

В новия чип на IBM са интегрирани близо 100 млрд. транзистора върху кристал с размер приблизително колкото човешки нокът, което е почти двойно по-висока плътност спрямо 2-нанометровия чип на компанията, представен през 2021 г. ...

Учени от Масачузетския технологичен институт (MIT) и партньорски организации обявиха, че са намерили начин да се преодолее това ограничение, като интегрират GaN транзистори в свръхтънък слой диамант...

При определени сложни изчислителни задачи, като разработване на нови лекарства или симулирането на физични процеси, квантовият компютър би могъл да функционира значително по-бързо от класическите компютри...

Тъй като полупроводниковото производство се приближава до физическите граници на закона на Мур, по-нататъшното миниатюризиране на силициевите транзистори все повече се ограничава от токове на утечка...

Наскоро голям брой компании по света насочиха усилия към разработването на 12- и 14-инчови SiC монокристали и субстрати, което увеличи конкуренцията в сегмента. Зад това глобално състезание за създаване на пластини с по-големи размери се крие голямата цел на сектора да се намалят разходите, да се повиши ефективността и да се завладеят по-рентабилни пазари в сферата на широколентовите полупроводникови технологии...

В рамките на консорциума CMOS 2.0 на imec ще се финансират 26 докторантури, като докторантите ще останат в своите университети, включени в техните изследователски групи, което ще им позволи да се възползват от допълващи се области на експертиза и да стимулират взаимното обогатяване...

Трудностите в производството на материала се дължат частично на това, че елементите не реагират химически един с друг при нормални условия. Екипът, воден от изследователите от Университета на Единбург, твърди, че е успял не само да създаде този нов материал, но и изцяло нов клас от полупроводникови елементи, изработени от него...

Целта на изследователите е да предложат решение на разрастващия се проблем с електронните отпадъци, които все повече се трупат заради материалите, използвани в конструирането на съвременните електронни устройства...