
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа
13.10.2026 | Корейски изследователи създадоха нова технология за масово производство на гъвкави електронни устройства


Изследователи от Университета на Единбург обявиха, че в сътрудничество с колеги от изследователски центрове и университети във Франция и Германия са създали нов тип високоефективен полупроводников материал.
Досега материал, получен при комбинирането на химическите елементи германий и калай, се смяташе за почти невъзможен за производство, въпреки че предишни изследвания предполагат, че теоретично сплавта от германий и калай може да действа като ефективен полупроводников елемент за поглъщане и излъчване на светлина по-ефективно от силициевите полупроводникови елементи, улеснявайки преобразуването на светлината в електрическа енергия и обратното.
Трудностите в производството на материала се дължат частично на това, че елементите не реагират химически един с друг при нормални условия. Екипът, воден от изследователите от Университета на Единбург, твърди, че е успял не само да създаде този нов материал, но и изцяло нов клас от полупроводникови елементи, изработени от него.
Подходът включва нагряване на смеси от германий и калай до над 1200°C и подлагането им на налягане от до 10 гигапаскала – около 100 пъти по-голямо от налягането на дъното на Марианската падина, най-дълбоката точка в океаните. Според екипа процесът произвежда стабилни германиево-калаени сплави при стайна температура и налягане, които могат да функционират като ефективни полупроводникови елементи.
Изследването, публикувано в Журнала на Американското химическо общество, е финансирано от Европейската комисия.
Източник: The University of Edinburgh; Снимка: DreamstimeКлючови думи: интегрални схеми полупроводникови технологии
Област: Електроника
Европейски проект ще подкрепи електронната индустрия в справянето с геополитическите рискове и заплахи
SEMI Europe излезе с препоръки във връзка с приемането на EU Chips Act 2.0
Русенският университет бе домакин на седмото национално младежко състезание Електрониада 2026
Изкуственият интелект ще осигури рекордни приходи на полупроводниковата индустрия през 2026 г.
В ТУ – София се проведе първата среща по проект C3BG
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.