
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа
13.10.2026 | Корейски изследователи създадоха нова технология за масово производство на гъвкави електронни устройства


LEM обяви, че пуска нов токов сензор, който предлага рекордни нива на точност при токоизмерване.
IN 200 е подходящ за употреба във взискателни приложения като прецизно оборудване за тестване и измерване (T&M), използвано за анализиране на ефективността на инверторите, монтирани в хибридни електрически превозни средства (HEV) и електрически превозни средства (EV).
Новият токов сензор може да предложи значителни подобрения в ефективността, особено по отношение на линейност, офсет и шумоустойчивост в сравнение с традиционните сензори за измерване на ток чрез използването на нова цифрова технология, посочват от компанията.
Сензорът реализира несравними нива на точност по отношение на линейност и офсет. Въпреки че спецификацията на IN 200 показва, че грешката от нелинейност е 0,6 ppm максимум 10 ppm офсет, практическите тестове показват, че може да се достигне до стойности от 0,5 ppm и офсет +/-5 ppm. За сравнение, продуктите на конкурентни производители предлагат точност +/-20-25 ppm.
IN 200 допълва семейството на LEM от прецизни сензори, което в момента покрива токов диапазон от 100 A до 2000 A. Самият IN 200 представлява на практика три продукта, поддържащи номинални токове от 100 A, 200 A и 400 A.
IN 200 предлага на потребителите редица допълнителни предимства, включително значително намаляване на шума и изключителна устойчивост на външни смущения. Продуктът, базиран на цифрова технология, осигурява устойчивост на температурни ефекти, смущения и промени в захранващото напрежение, а неговият висококачествен метален корпус (предишните модели използваха пластмасов корпус) осигурява устойчивост на електромагнитни смущения (ЕМС), намалява температурното влияние и позволява прецизна работа в широк температурен диапазон (от -40°C до +85°C), отбелязват от компанията.
Други характеристики на IN 200 са широката честотна лента – до 1,1 MHz (-3 dB), компактната конструкция с отвор Ø 28 мм за кабели и шини и наличието на сигнал, показващ състоянието на сензора.
Източник: LEMКлючови думи: LEM сензори IN 200 електромобили
Област: Електроника
Германия инвестира 659 млн. евро в четири нови съоръжения за електронно производство
onsemi придобива Synaptics за 7 млрд. долара
Германия отпуска 76 млн. евро за производство на уникално тестово оборудване за микроелектрониката
ams OSRAM продава бизнеса с CMOS сензори за изображения на indie Semiconductor за 40 млн. евро
Демонстрации на сензори и самопочистващи се повърхности на соларни панели в Института по електроника в София
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.