
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа
13.10.2026 | Корейски изследователи създадоха нова технология за масово производство на гъвкави електронни устройства
Френският институт за изследвания в областта на микроелектрониката Leti обяви, че е разработил протектор, който може да помогне за защитата на електронни устройства срещу физически атаки от долната страна на интегралните схеми.
Според учените изобретението може да е от значение при подобряване на сигурността на ИС, използвани в свързани обекти, смарт карти или други системи, които боравят с чувствителни данни. Физически атаки са осъществими, когато хакерите имат достъп до устройството и се възползват от недостатъците на неговата ИС, за да откраднат поверителна информация или да манипулират работата му. Според Leti новият протектор защитава чиповете от инвазивни и полуинвазивни атаки чрез инфрачервени лазери, фокусирани йонни снопове (FIB), химикали и други средства.
"Реализирането на множество хардуерни и софтуерни защитни мерки прави интегралните схеми по-сигурни, но гърбът на чипа все още се счита за уязвим за физически атаки. Нашият екип проектира, произведе и тества новаторска защитна конструкция, съчетаваща няколко елемента, които ще пускат сигнал, ако хакерите използват гърба на чипа, за да осъществят достъп до активните компоненти на ИС", обясни Алан Мерле, маркетинг мениджър решения за сигурност в Leti.
Защитата се състои от метална серпентина, разположена между два полимера, от които единият е непрозрачен за инфрачервена светлина и служи като физическа бариера срещу FIB атаки, а другият реагира на химически атаки.
Ключови думи: Leti интегрални схеми защита на електронни устройства микроелектроника
Европейски проект ще подкрепи електронната индустрия в справянето с геополитическите рискове и заплахи
ЕК одобри 288 млн. евро държавна помощ за два микроелектронни проекта в Германия
Huawei предлага нов принцип за развитие на микроелектрониката
Пазарът на материали за микроелектрониката достигна рекордните 73,2 млрд. долара
SEMI Europe излезе с препоръки във връзка с приемането на EU Chips Act 2.0
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.