
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


06.11.2026 | Пазарът на технологии за корпусиране на чипове ще нарасне петкратно до 2031 г.
05.11.2026 | Quectel се сертифицира по международния стандарт за киберигурност IEC 62443-4-1
03.11.2026 | Infineon изгражда първото в света съоръжение за масово производство на GaN компоненти върху 300-mm пластини
27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026

Cree увеличи мощността на своя 1,6x1,6 mm XQ LED модул. Приборът, наречен XQ-E, използва 1 mm матрица от XP-E2 LE, куполовиден XQ модул със 110° ъгъл на излъчване и 78% по-малък корпус.
"Оптичните му параметри всъщност са еднакви с XP-E2, но светлинният поток от единица площ е много по-голям. Ще пуснем бял и RGB вариант едновременно", обяви Пол Шайт, маркетинг мениджър на Cree.
Най-високата мощност на бялата светлина е 287 lm при 3W и 85°C.
Очаква се, че новият светодиод ще бъде използван за приложения в мобилно, вътрешно и архитектурно осветление, както и при осветители за превозни средства. Клиентите на компанията вече могат да поръчат диод с бяла светлина, а цветните модели се очакват в края на октомври.
Източник: CreeКлючови думи: Cree XQ-E светодиоди LED осветление
Област: Технологии
Cree представи най-мощния 5x5 мм светодиод
element 14 стартира специално състезание по случай Хелоуин
Rutronik представя иновативни решения с UV светодиоди
Cree купи Infineon RF Power за 345 млн. евро
Microchip представи нов LED драйвер, ориентиран към ценово ефективни приложения
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
13.10.2026 | Корейски изследователи създадоха нова технология за масово производство на гъвкави електронни устройства
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите

13.10.2026 | Корейски изследователи създадоха нова технология за масово производство на гъвкави електронни устройства
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.