Полеви транзистори на Wayon с допълнителна ESD защита от TME

10.09.2024   |   Начало»Продуктови оферти

Редактор
Мира Станкова

Редактор
Мира Станкова

ТМЕ добави към каталога си серия MOSFET модули на Wayon с разсейвана мощност до 1 W.

Компонентите имат допълнителна ESD защита под формата на двупосочен ценеров диод между сорса и гейта. Това прави възможно безопасното разтоварване на заряди, които биха могли да представляват потенциална заплаха за елемента при използване на други модели транзистори.

В каталога на ТМЕ ще намерите богат избор от транзистори на Wayon - N- или P-канални, като се предлагат и многоканални, в това число и смесени, версии.

Модулите се предлагат в компактни корпуси, предназначени за повърхностен монтаж (SMD). 

Сред основните приложения на серията са сигнални вериги на потребителски устройства, индустриална електроника, системи с батерийно захранване и др.

Повече за предлаганите от ТМЕ транзистори на Wayon вижте тук.

Ключови думи: ТМЕ   Wayon   MOSFET   транзистори  

TME Electronic Components

http://www.tme.eu/bg/