MOSFET транзистори на Wayon от TME

19.04.2022   |   Начало»Продуктови оферти

Редактор
Пепа Петрунова

Редактор
Пепа Петрунова

ТМЕ представя MOSFET транзисторите, произведени по технология WMOS™ C2, на Wayon. Използването на тази технология позволява постигане на много ниско съпротивление дрейн-сорс в проводимо състояние RDS (on) (достигащо 99 mΩ) при ниска мощност, необходима за включване на транзистора. Решението е идеално за приложения, където енергийната ефективност на устройството е ключова характеристика.

Продуктите се предлагат в корпуси TO220, TO247, TO251, TO262, предназначени за монтаж в отвори.

Максималното напрежение дрейн-сорс за тези елементи е 600 V (между гейта и сорса ± 30 V), а токът на дрейна може да варира от 5 A до 38 A в зависимост от избрания модел.

Предлаганите от ТМЕ транзистори на Wayon се използват в захранвания и преобразуватели, решения за управление на LED и свързани приложения.

Повече за продукта можете да видите тук.

Ключови думи: ТМЕ   Wayon   MOSFET транзистори  

TME Electronic Components

http://www.tme.eu/bg/