
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


03.11.2026 | Infineon изгражда първото в света съоръжение за масово производство на GaN компоненти върху 300-mm пластини
27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа
Omron и STMicroelectronics създадоха сензор за газ, който може да коригира показанията си според разликите в състава на измервания газ.
Сензорът, който може да се използва в електронните алтернативи на механичните газомери, комбинира микро електро-механичен (MEMS) топлинен преобразувател за поток от Omron с аналогова интегрална схема на ST.
Системата за измерване на дебита на газ не трябва да бъде конфигурирана за определен вид газ. Устройството автоматично ксомпенсира разликите в температурата и налагането, както и в газовия състав.
Въвеждането на интелигентно измерване ще допринесе значително за спестяване на енергийните разходи, смятат разработчиците.
Източник: OmronКлючови думи: Omron ST MEMS газомери сензори за газ
Област: Технологии
GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
Wuerth Elektronik с участие на Robotics Strategy Forum 2026
u-blox, NXP Semiconductors и Bureau Veritas организират уебинар за изискванията на европейския Законодателен акт за киберустойчивост
Европейски проект ще подкрепи електронната индустрия в справянето с геополитическите рискове и заплахи
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.