
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


03.11.2026 | Infineon изгражда първото в света съоръжение за масово производство на GaN компоненти върху 300-mm пластини
27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа

ROHM започна масово производство на 1200V/100A силови модули, базирани изцяло на елементи от силициев карбид (SiC), съобщиха за IndustryInfo.bg от компанията.
Вградените SiC инвертори и конвертори за преобразуване осигуряват редица предимства над обикновените базирани на силиций IGBT модули: редуциране на импулсните загуби с 85%; приблизително 50% намаление на габаритите в сравнение с конвенционалните Si IGBT модули от клас 400A; по-малко нагряване благодарение на по-ниските загуби на енергия, по-малки размери и по-проста структура на охлаждащите системи.
Новите модули са крачка напред и по отношение на проблемите с околната среда, включително парниковите емисии и намалените природни ресурси.
Очаква се SiC технологията да има значителен ефект в силовата електроника - например при промишленото оборудване, фотоволтаичните модули, електромобилите и локомотивите. Изчислено е, че ако всички конвенционални силициеви силови полупроводникови прибори само в Япония бъдат заменени с такива от силициев карбид, спестената енергия ще е от порядъка на генерираната от 4 ядрени централи.
През последните години ROHM работи интензивно върху разработката на SiC продукти и през 2010 г. стана първия доставчик в световен мащаб, който успешно стартира масово производство на SiC Шотки диоди (SBD) и MOSFET силови прибори.
Източник: ROHMКлючови думи: ROHM SiC силициев карбид IGBT силова електроника
Област: Технологии
Infineon изгражда първото в света съоръжение за масово производство на GaN компоненти върху 300-mm пластини
onsemi придобива Synaptics за 7 млрд. долара
В Германия откриха най-голямото в света съоръжение за производство на силови електронни компоненти
Изкуственият интелект срещна силовата електроника на PCIM Expo & Conference 2026
ЕК одобри 288 млн. евро държавна помощ за два микроелектронни проекта в Германия
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.