
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа
13.10.2026 | Корейски изследователи създадоха нова технология за масово производство на гъвкави електронни устройства


Изследователи от Университета на Бирмингам, Оксфордския университет и Университета на Бристол обявиха, че са създали нов материал, който преобразува движението в електричество (пиезоелектричество) с голяма ефективност и без използване на токсично олово, като така прокарват пътя за устройства от ново поколение за приложения в ежедневието. Изследователите описват новия материал като траен и чувствителен към движение, благодарение на което според тях е подходящ за широк спектър от иновативни устройства като сензори, носима електроника и системи с независимо захранване.
Базиран на бисмутов йодид – неорганична сол с ниска токсичност, новият мек, хибриден материал конкурира производителността на традиционните керамични материали на основата на олово, но е с по-ниска токсичност и по-лесна обработка. Той не съдържа олово за разлика от съществуващите високопроизводителни алтернативи, като оловният цирконат титанат, който съдържа 60% олово, и освен това може да се произвежда на стайна температура, а не при 1000°C.

Според д-р Доминик Кубицки от Университета на Бирмингам благодарение на производителността си, сравнима с комерсиалните пиезоелектрически компоненти, и факта, че се прави от нетоксичен бисмут, новият материал открива пътя към създаване на екологосъобразни технологии, които могат да захранват бъдещите сензори, медицински импланти и гъвкава електроника.
Пиезоелектрическите материали могат генерират електрически заряд при натиск или огъване, както и могат да се деформират при прилагане на електрическо поле. Те са от съществено значение за технологии, вариращи от прецизни задвижващи механизми, използвани в продукти като автофокусни мотори на камери и помпи за мастиленоструйни принтери, до сензори, захранвани чрез събиране на енергия, за вграждане в носими технологии, като фитнес тракери, интелигентни дрехи и автомобилни въздушни възглавници.
Световният пазар на пиезоелектрически материали надхвърля 35 млрд. щатски долара и продължава да расте с бързи темпове, стимулиран от търсенето в автомобилостроенето, здравеопазването, роботиката и потребителската електроника, където устройствата, които преобразуват движението в електричество или електричеството в прецизно движение са особено важни, отбелязват изследователите.
Източник: Университет на БирмингамКлючови думи: сензори носима електроника пиезоелектрически компоненти
Област: Електроника
onsemi придобива Synaptics за 7 млрд. долара
Германия отпуска 76 млн. евро за производство на уникално тестово оборудване за микроелектрониката
ams OSRAM продава бизнеса с CMOS сензори за изображения на indie Semiconductor за 40 млн. евро
Демонстрации на сензори и самопочистващи се повърхности на соларни панели в Института по електроника в София
Bosch създава съвместна компания с Element Six за производство на квантови сензори
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.