
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


03.11.2026 | Infineon изгражда първото в света съоръжение за масово производство на GaN компоненти върху 300-mm пластини
27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа

Учени от Станфордския университет разработиха свръхтънък материал, който провежда електричество по-добре от медта и може да повиши енергийната ефективност в областта на наноелектрониката.
С развитието на компютърните чипове, които стават все по-малки и по-сложни, свръхтънките метални проводници, пренасящи електрическите сигнали в тях, се превръщат в слабо звено. Стандартните метални проводими слоеве губят ефективността си при провеждане на електричество, когато са по-тънки, което в крайна сметка ограничава размера, ефективността и производителността на наноелектронните изделия.
В статия, публикувана на 3 януари в сп. Science, учени от Станфорд показват как ниобиевият фосфид може да провежда електричество по-добре от мед при покрития с дебелина само няколко атома. Освен това тези покрития могат да бъдат създавани и нанасяни при достатъчно ниски температури, за да са съвместими със съвременните технологии за производство на интегрални схеми.
"Преодоляваме основно ограничение на традиционните материали като медта", казва инж. д-р Асир Интисар Хан, водещ автор на статията. "Проводниците от ниобиев фосфид показват, че е възможно да се изпращат по-бързо и по-ефективно сигнали през свръхтънки проводници. Това би могло да подобри енергийната ефективност на бъдещите чипове, а дори и малки подобрения са от значение, когато се използват много интегрални схеми, например в съвременните огромни центрове за данни, които съхраняват и обработват информация."
Учените определят ниобиевия фосфид като "топологичен полуметал", което означава, че целият материал е способен да провежда електричество, но неговите повърхности са значително по-проводими от вътрешността. Когато слой от ниобиев фосфид става по-тънък, вътрешността се свива, но повърхностите му остават същите, което им позволява да допринасят в по-голяма степен за провеждането на електричество и материалът като цяло да се превърне в по-добър проводник. Това представлява различие спрямо традиционните метали като медта, които губят способността си да провеждат ефективно електричество, когато дебелината им падне под 50 нанометра.
Изследването показва, че ниобиевият фосфид става по-добър проводник от медта при покрития с дебелина под 5 нанометра, дори в условия на стайна температура. При такава дебелина медните проводници не могат да се справят с бързите електрически сигнали и губят значително повече енергия под формата на топлина.
Много учени работят върху търсенето на по-добри проводници в областта на наноелектрониката, но най-добрите кандидати досега изискват изключително прецизни кристални структури, които трябва да бъдат формирани при много високи температури. Покритията от ниобиев фосфид са първите примери за некристални материали, които стават по-добри проводници, когато се изтъняват.
Тъй като покритията от ниобиев фосфид не трябва да бъдат кристални, те могат да се създават при по-ниски температури. Учените са извършили нанасяне на покрития при температура от 400°C – достатъчно ниска, за да се избегне повреждането или унищожаването на силициевите чипове.
"Ако е необходимо да се създават перфектни кристални проводници, това няма да проработи за наноелектрониката", отбелязва Юрий Сузуки, професор по приложна физика и съавтор на статията. "Но ако можем да ги направим аморфни или леко безредни, докато те все пак предоставят необходимите свойства, това отваря врати за потенциални приложения в реалния свят."
Въпреки че покритията от ниобиев фосфид са обещаващо начало, учените не очакват те внезапно да заменят медта във всички компютърни чипове – медта все още е по-добър проводник при по-дебели покрития и проводници. Ниобиевият фосфид обаче може да бъде използван при най-тънките връзки, като същевременно прокарва пътя за изследване на проводници, направени от други топологични полуметали.
Източник: Станфордски университет; Снимка: Asir Khan/Eric PopКлючови думи: наноелектроника
Област: Електроника
ЕЛЕКТРОНИКА 2023 предстои през юни в София
Две български организации се присъединиха към инициативата на ЕК за разработки от графен
Представиха амбициозен план за развитие на електронната индустрия в Европа
ЕС планира да удвои производството на чипове, микро- и наноелектроника
Изложение за нанотехнологии и органична електроника
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.