
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа
13.10.2026 | Корейски изследователи създадоха нова технология за масово производство на гъвкави електронни устройства


Изгарящата повърхност на Венера, където температурите могат да се покачат до 480°C, е негостоприемно място за хора и машини. Една от причините учените все още да не могат да изпратят всъдеход до планетата е, че силициевите електронни компоненти не могат да функционират при подобни екстремни температури за дълъг период от време.
За високотемпературни приложения като проучването на Венера изследователите наскоро се насочиха към галиевия нитрид. Материалът вече се използва в някои наземни електронни устройства като зарядни за телефони и телекомуникационни кули, но учените не са достатъчно наясно как модули от галиев нитрид биха се държали при температури над 300°C градуса – работният максимум за конвенционалните силициеви електронни компоненти.
Ново проучване на учени от Масачузетския технологичен институт (MIT) се фокусира върху свойствата на галиевия нитрид и поведението му при излагане на екстремно високи температури.
Учените проучват влиянието на температурата върху омичните контакти в модули от галиев нитрид. Омичните контакти са ключови елементи, които свързват полупроводниковия компонент с външния свят.
Тестовете показват, че екстремните температури не причиняват значителна деградация на материала или контактите. Учените с изненада откриват, че структурата на контактите остава непокътната дори при излагане на температури от 500°C в продължение на 48 часа.
Материалът започва да деградира след тези 48 часа, но изследователите вече работят по удължаването на издръжливостта му. Една от стратегиите включва добавянето на защитна изолация, която да пази материала от директно излагане на среда с високи температури.
Разбирането за това как се държат контактите при екстремни температури е важна стъпка към следващата цел на екипа, а именно създаването на транзистори, които могат да функционират на повърхността на Венера. Такива транзистори биха могли да се използват и на Земята в електроника за приложения като добив на геотермална енергия или мониторинг във вътрешността на реактивни двигатели.
"Транзисторите са сърцето на повечето модерна електроника, но ние не искахме да се впускаме директно в изработването на транзистори от галиев нитрид, защото има много какво да се обърка. Първо искахме да се уверим, че материалът и контактите могат да оцелеят и да установим колко се променят при повишаване на температурата", обясни Джон Нирула, студент по електроинженерство и компютърни науки и водещ автор на проучването.
Проучването се финансира от Службата за научни изследвания към Военновъздушните сили на САЩ, Lockheed Martin, Semiconductor Research чрез агенцията за изследователски проекти в сферата на отбраната на САЩ, Министерството на енергетиката на САЩ, Intel и Университета по инженерство и технологии на Бангладеш.
Източник: MIT; Снимка: DreamstimeКлючови думи: MIT GaN галиев нитрид транзистори
Област: Електроника
Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
Китайски учени постигнаха напредък в интеграцията на монокристални 2D полупроводници върху гъвкави подложки
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.