
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа
13.10.2026 | Корейски изследователи създадоха нова технология за масово производство на гъвкави електронни устройства
Microchip разшири своето портфолио от MOSFET дискретни компоненти и модули, базирани на силициев карбид (SiC), с нов цифров гейт драйвер, ориентиран към приложения в областта на електрическия транспорт.
Двуканалният гейт драйвер AgileSwitch 2ASC-12A2HP с напрежение 1200 V, използващ технологията Augmented Switching, е готов за влагане в нови продукти и напълно конфигурируем. Той осигурява надеждна и безопасна работа, като предлага различни нива на управление и подобрена защита за силови MOSFET системи, базирани на силициев карбид, посочват от Microchip.
В сравнение с конвенционалните гейт драйвери, драйверите AgileSwitch предлагат по-добро потискане на пренапреженията дрейн-сорс (Vds) – с до 80%, както и намаляване на загубите в импулсен режим с до 50%. Гейт драйверът 2ASC-12A2HP може да генерира/поема до 10 A пиков ток и включва изолиран DC/DC преобразувател с изолационна бариера за ШИМ сигнали и обратна връзка при грешки.
2ASC-12A2HP е съвместим с последната версия на софтуерния инструмент Intelligent Configuration Tool (ICT). Неговият интерфейс позволява на потребителите да конфигурират параметрите на гейт драйвера, включително профили за комутация, мониторинг и настройки на контролера.
"Обществената тенденция към електрификация на всички превозни средства, включително автобуси, влакове, трамваи и селскостопански транспортни машини, е в пряка зависимост от иновативните решения в силовата електроника, които могат да осигурят по-голяма ефективност при по-малка консумация на енергия. В съчетание с нашите силови компоненти, базирани на силициев карбид, гейт драйверът позволява на инженерите да постигнат нови нива на захранваща мощност в транспортните системи и промишлените приложения", обясни Леон Грос, вицепрезидент "Дискретни компоненти" в Microchip.
Освен електрически превозни средства, други приложения на новия гейт драйвер включват зарядна инфраструктура, системи за съхранение на енергия, соларни инвертори и задвижвания в авиационната техника.
Източник: MicrochipКлючови думи: Microchip 2ASC-12A2HP SiC MOSFET силициев карбид силова електроника
Област: Технологии
onsemi придобива Synaptics за 7 млрд. долара
В Германия откриха най-голямото в света съоръжение за производство на силови електронни компоненти
Microchip предоставя безплатен достъп до компилаторите MPLAB XC и развойната среда MPLAB ML
Изкуственият интелект срещна силовата електроника на PCIM Expo & Conference 2026
Започна регистрацията за участие в най-голямата техническа конференция на Microchip в Европа
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.