Microchip представи 1700-волтови SiC силови компоненти

10.08.2021   |   Начало»Технологии

Редактор
Пепа Петрунова

Редактор
Пепа Петрунова

Microchip разшири своето портфолио от продукти, базирани на силициев карбид (SiC), с нова фамилия високоефективни и надеждни MOSFET матрици и дискретни силови модули с работно напрежение 1700 V, съобщават от компанията. Те са насочени към приложения в съвременните енергоефективни електрически зарядни станции, както и в спомагателни енергийни системи, соларни инвертори, полупроводникови преобразуватели на напрежение и други транспортни и промишлени приложения, които изискват импулсно захранвание с повишено напрежение. 

1700-волтовите продукти на Microchip от силициев карбид са алтернатива на силициевите IGBT, които налагат компромис с производителността и използване на усложнени топологии. Освен това размерът и теглото на силовите електронни системи нарастват допълнително заради трансформаторите, чийто размер може да бъде намален само чрез увеличаване на импулсната честота.

Новата фамилия SiC компоненти позволява на инженерите да не разчитат на IGBT, а вместо това да използват двустепенни топологии с по-малко на брой елементи, по-голяма ефективност и опростени схеми за управление, обясняват от компанията. Без комутационни ограничения модулите за преобразуване на мощност могат да станат значително по-малки по размер и тегло, като така освобождават пространство за повече пасажери и товари или разширяват обхвата и времето за автономна работа на тежки транспортни средства, електробуси и т. н.

Техническите предимства на новите прибори включват стабилност на управляващия електрод, при който от Microchip съобщават че не се наблюдава промяна в праговото напрежение дори след 100 000 импулса при повтарящи се тестове за комутация на индуктивни товари (R-UIS). Тестовете също показват отлична устойчивост срещу лавинен пробив и стабилност на параметрите, гарантирайки надеждна работа през целия експлоатационен живот на системата.

Отсъствието на ефект на деградация на PN диода може да премахне необходимостта от използване на външен диод при SiC MOSFET. Приборите имат издържливост на къси съединения, сравнима с тази на IGBT. По-плоската крива на RDS(on) при температури на прехода от 0 до 175°С позволява на захранващата система да работи с по-голяма стабилност в сравнение с други SiC MOSFET, които имат повишена температурна чувствителност.

Microchip улеснява работата с новите прибори чрез фамилията цифрови програмируеми драйвери AgileSwitch и широка гама от дискретни и силови модули, налични в стандартни и персонализирани корпуси. Други SiC продукти на Microchip са фамилиите MOSFET и Шотки бариерни диоди с работно напрежение 700 V и 1200 V.

Ключови думи: Microchip   SiC модули   SiC Шотки диоди   силициев карбид   MOSFET  

Област: Електроника