Farnell започна да доставя новата Power GaN FET фамилия от Nexperia

15.09.2020   |   Начало»Бизнес

Редактор
Пепа Петрунова

Редактор
Пепа Петрунова

Farnell вече предлага на своите клиенти новата гама полеви транзистори (FET) от галиев нитрид (GaN) на Nexperia. GaN FET продуктите предлагат подобрена плътност и ефективно енергопотребление при намалени габарити, като правят възможна разработката на енергоефективни системи на по-ниска цена и осигуряват потенциал за трансформиране на енергийната ефективност в електрическите превозни средства, 5G комуникациите, IoT и други приложения.

GaN технологията преодолява някои от ограниченията на традиционни технологии като силициеви IGBT и SiC, осигурявайки директни или косвени ползи за цял набор от приложения за преобразуване на енергия. В електрическите превозни средства GaN технологията намалява пряко енергийните загуби, които могат да повлияят на обхвата на автомобила. По-ефективното преобразуване на електроенергията намалява и необходимостта от охлаждащи системи за разсейване на генерираната топлоенергия, като намалява масата на автомобила и сложността на системата, което от своя страна води до работа с по-дълъг обхват или същия обхват с по-малка батерия. Power GaN FET намират приложение също в центровете за данни, телекомуникационната инфраструктура и индустриалното производство.

GaN FET осигуряват максимална ефективност в решения като асиметрична комутация за AC-DC PFC приложения с транзисторни изходи, пълно мостово съединение при LLC фазово изместване (с резонансна или фиксирана честота) за приложения със симетрична комутация, всички DC-AC инверторни топологии и AC-AC матрични преобразуватели с помощта на двупосочни превключватели.

На 16 септември 2020 г. от 16:00 ч. Farnell и element14 ще проведат уебинар на тема "Разработка на високоефективни и устойчиви индустриални захранвания с GaN FET от Nexperia". Лектор ще бъде инж. Илиян Бонов, международен продуктов маркетинг на GaN продукти в Nexperia.

Повече информация и възможност за регистрация може да намерите тук.

Ключови думи: Premier Farnell   Avnet   Nexperia   GaN   Power GaN FET  

Област: Електроника