
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


03.11.2026 | Infineon изгражда първото в света съоръжение за масово производство на GaN компоненти върху 300-mm пластини
27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа

u-blox обяви нов LTE Cat M1, NB-IoT, 4-лентов 2G (EGPRS) модул с глобален обхват. SARA-R412M е с габарити 16х26 mm, което го прави най-малкия в света с едновременна поддръжка на LTE и 4-лентов EGPRS режим. Той предлага динамичен избор при проектиране на системи, работещи с Cat M1, NB-IoT и EGPRS в единичен режим или като предпочитана връзка, която не изисква рестартиране на модула за превключване между режимите.
SARA-R412M включва богат набор от функции, оптимизирани за IoT приложения в LPWA (low power wide area) мрежи. Модулът е насочен към приложения, които изискват резервирана 2G връзка и широко географско покритие в области, където LTE Cat M1 и NB-IoT все още не са широко достъпни. Новите IoT устройства, които се използват днес, могат да бъдат активирани в съществуващите 2G мрежи и да се възползват от предимствата на технологиите LTE Cat M1 и NB-IoT, след като те станат достъпни.
Подходящи са IoT приложения, които разчитат на дългосрочно функциониране с ниска енергоконсумация или на връзка дълбоко във вътрешността на сградите. Примерите включват системи за измерване на газ, вода и електроенергия, градско улично осветление, сградна автоматизация, ОВК, мониторинг и управление на индустриални производствени системи, телематика, проследяване на активи и превозни средства, системи за сигурност, алармени системи, както и разнообразни преносими изделия от потребителската електроника.
SARA-R412M дава възможност за разработка на решения с глобален обхват, базирани на една хардуерна версия, което позволява на конструкторите да избират собствени предпочитани честоти и настройки, съобразени с мрежовите конфигурации на оператора. Модулът осигурява целостта на данните между приложенията чрез защитени комуникационни протоколи, в това число двупосочно удостоверяване между клиент и сървър по модела на облачно базираните услуги.
SARA-R412M рабои в широк температурен диапазон от -40°C до +85°C и поддържа режими за пестене на енергия PSM (Power Save Mode) и е-DRX (Extended Discontinuous Reception) за LTE Cat M1 и NB-IoT, които могат да удължат живота на батерията до 10 години.
Функцията за усилването на 3GPP обхвата позволява Cat M1 връзката на модула да достигне по-дълбоко в сградите и подземните етажи в сравнение с други безжични технологии като GSM или Cat 1.
Модулът ще бъде наличен по-късно през тази година.
Ключови думи: Microdis u-blox безжични модули многорежимни модули LTE Cat M1
Bluetooth 5 модул на u-blox срещу COVID-19
Безжичен модул на u-blox в иновативен соларен GSM тракер
u-blox и Cohda Wireless разработват автомобилни комуникационни системи от следващо поколение
u-blox представи нов комуникационен модул за управление на пътния трафик
Модули на u-blox в иновативна система за водоизмерване
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.