
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа
13.10.2026 | Корейски изследователи създадоха нова технология за масово производство на гъвкави електронни устройства

LEM разшири гамата си миниатюрни интегрални токови преобразуватели за измерване на постоянен и променлив ток с честота до 300 kHz с новата серия GO.
Моделите от серията са напълно изолирани, въпреки изключително малките си размери, благодарение на интегрирания токов проводник. Новите преобразуватели позволяват измерване на номинален ток 4, 6, 8, 10, 12, 16, 20 или 30 A с диапазон на измерване 2,5 пъти номиналния ток. Те могат да издържат на високи токове на претоварване с пикови стойности до 200 А и кратка продължителност (до 1 ms).
Токовите преобразуватели от серията GO са предназначени за директен монтаж върху печатна платка и се предлагат в компактни SO8 или SO16 корпуси, които осигуряват икономия на пространство и производствени разходи.
Тоководещият проводник в новите модели е с ниско съпротивление с цел свеждане до минимум на загубите на енергия. Той е интегриран в патентована специализирана ИС (ASIC), което позволява директно измерване на ток и постоянна надеждност на изолацията.
Стандартните модели от серията разполагат с аналогови изходи на напрежение с различни нива на чувствителност в зависимост от модела и изходно напрежение 800 mV @ IPN за 5-волтовите версии и 500 mV @ IPN за 3,3-волтовите версии. Предлагат се и специализирани модели с пропорционален изход.
Серията токови преобразуватели GO е проектирана с акцент върху защитата от външни силови полета в приложенията от сферата на силовата електроника. Новите прибори разполагат с възможности за програмируема вътрешна температурна компенсация на базата на EEPROM. Тази функция позволява надеждна работа на преобразувателите в широк температурен диапазон от -40 до +125°C.
Липсата на магнитна верига в конструкцията спомага за висока точност на измерванията без отклонения вследствие на магнитно поле. В сравнение с по-старите модели от гамата, преобразувателите от серията GO се отличават с подобрена точност в целия работен температурен диапазон по-кратки времена на реакция от 2 µs, подобни на тези при моделите с магнитна верига.
Версиите в SO16 корпус стандартно разполагат с две различни предупредителни функции при установяване на свръхток (Over-Current Detection, OCD) – бърза и бавна, като втората е по-прецизна. За приложения като асинхронни електромотори и сервозадвижвания, AC и DC инвертори, токовите преобразуватели от новата серия на LEM предлагат по-надеждна алтернатива на бюджетни измервателни решения като шунтовете.
Ключови думи: LEM токови преобразуватели GO
LEM пусна иновативно решение за DC зарядни станции за електромобили
LEM представи нова гама токови сензори за жп и индустриални приложения
LEM представи нова серия токови преобразуватели
LEM представи цифров интегратор за бобини на Роговски
LEM с нов по-ефективен сайт
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.