
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


03.11.2026 | Infineon изгражда първото в света съоръжение за масово производство на GaN компоненти върху 300-mm пластини
27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа

TME добави към портфолиото си нови еднооборотни потенциометри от серията 1610 на SR Passives, съобщиха за Electronics-Bulagrai.com от компанията. Новите прибори притежават блокада на крайните положения, а механичният им ъгъл е 340° (± 3°).
"Потенциометрите от серията 1610 се характеризиратс дълъг експлоатационен живот до 250 000 цикъла, благодарение на съпротивителната пластмасова пътека. Те са подходящи за приложения в прецизните системи за регулиране поради широкия обхват на работната температура и толерантност на линейност ±2%", обясниха от ТМЕ.
Новите еднооборотни потенциометри са с мощност 1 W, максимално работно напрежение 250 V и температурен коефициент 500 ppm/°C. Размерите на корпуса са Ø22,2 x 11,4 мм.
Ключови думи: TME SR Passives потенциометри
Област: Технологии
GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
TME получи златно отличие за дистрибуция от TDK
ТМЕ предоставя ново поле за изява на проектантите с иновативната уеб платформа Tech Master Event
Проектантите на електроника могат да се включат в креативни конкурси на платформата TechMasterEvent
Модули на u-blox в иновативна система за водоизмерване
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.