
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


03.11.2026 | Infineon изгражда първото в света съоръжение за масово производство на GaN компоненти върху 300-mm пластини
27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа

От Комет Електроникс съобщиха за пазарния дебют на XLamp XP-L - първият в света светодиод със светлиннa ефективност 200 lm/W. Cree е първият производител, който въвежда на пазара светодиодна платформа за осветление XP-L от HD-клас с такава светлинна ефективност. Размерите на новия компонент са 3,45 x 3,45 мм.
Cree вече разработи светодиод с ефективност 300 lm/W, но XP-L е първият комерсиално достъпен. Той може да предостави светлинен поток до 776 lm при мощност от 6 W и температура 85 ºC и е съвместим с повечето оптични системи за сериите XP.
"Използването на XP-L подобрява характеристиките на съществуващите осветителни светодиодни системи, като намалява тяхната цена и размери и предоставя възможности за нови решения, които не са били възможни до този момент. Той дава възможност за развитие с 50% повече на светодиодни системи, използващи платформа Xlamp XP-G", обясняват от Комет Електроникс.
Ключови думи: Комет Електроникс Cree светодиоди дискретни компоненти
Област: Eлектроника Технологии
Комет Електроникс предлага всички дистанционни методи на обслужване
Комет Електроникс осигурява безплатна доставка
Комет Електроникс и Microchip обявиха безплатни уебинари за IoT сензори и облачна свързаност
Aimtec представи 30-ватов DC/DC преобразувател с регулируем изход
Quectel и Broadcom представиха високоточен GNSS модул за електромобилни приложения
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.