
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


03.11.2026 | Infineon изгражда първото в света съоръжение за масово производство на GaN компоненти върху 300-mm пластини
27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа

Rohm Semiconductor обяви, че е разработила най-малкия транзистор в света с размери 0,6 мм x 0,4 мм х 0,36 мм височина. Новият модел VML0604 е с два пъти по-малък размер от своя предшественик VML0806.
Серията включва устройства до 60V и се състои от n- и p-канални MOSFET транзистори. VML0604 е насочен към приложения за интелигентни мобилни телефони и устройства с малък размер.
"Освен техническите предизвикателства, свързани със спояването и обработката на сигнали, за производителите е особено трудно да намалят размера на транзистора. Rohm обаче успя да редуцира размера, като същевременно подобри съпротивлението", коментираха производителите.
Първите бройки ще се появят на пазара през юни.
Ключови думи: Rohm транзистори VML0604 VML0806 MOSFET
Област: Eлектроника
Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
Китайски учени постигнаха напредък в интеграцията на монокристални 2D полупроводници върху гъвкави подложки
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.