Разработиха нов метод за производство на резистивни памети

20.08.2013   |   Начало»Технологии

Редактор
Пепа Петрунова

Редактор
Пепа Петрунова

Учени от Riverside Bourns College of Engineering към Калифорнийския университет разработиха нов метод за производство на резистивни памети, сочени като следващото поколение запаметяващи компоненти за смартфони, таблети, лаптопи, фотоапарати и други преносими електронни устройства.

Новите чипове се базират на принципите на резистивната памет, които могат да се използват за създаване на по-малки клетки, които работят при по-висока скорост и предлагат по-голям капацитет за съхранение от използваните в момента капацитивни (флаш) памети. В хода на изследванията учените са установили, че резистивната памет може да бъде намалена под 10-нанометровия диапазон, като в сравнение с нея флаш паметите са два пъти по-големи.

Ключът към напредъка на изследователите от UC Riverside е създаването на цинково-оксиден нано-остров върху силиций, който елиминира необходимостта от втори елемент (най-често диод).

"Това е важна стъпка, тъй като електронната промишленост е на прага на мащабно приемане на резистивната памет като алтернатива на флаш паметите. Нашият метод опростява процеса и намалява производствените разходи", заяви ръководителят на проекта Jianlin Liu.

Ключови думи: резистивна памет   преносими електронни устройства   флаш памет  

Област: Технологии