
ПОСЕТЕТЕ ОЩЕ СПЕЦИАЛИЗИРАНИ ПОРТАЛИ ОТ ГРУПАТА


03.11.2026 | Infineon изгражда първото в света съоръжение за масово производство на GaN компоненти върху 300-mm пластини
27.10.2026 | Quectel представи трилентови Wi-Fi 7 модули с Bluetooth 6.0 за цифрови декодери, гейминг устройства и други свързани продукти
27.10.2026 | Близо 3500 изложители представят новостите в електронната индустрия на electronica 2026
26.10.2026 | GSIF 2026 представя бъдещето на полупроводниковата индустрия, инвестициите и индустриалния растеж
20.10.2026 | Микроелектронното производство ще стане по-екологично с нови технологии, създадени в Европа

Фирма Ромтех-3ЕС представи иновативен енергоспестяващ светодиоден аналог на луминесцентна тръба с търговско название Т8/Т5 LED. Модулът е разработен за вграждане в стандартни тела за окачен таван.
"При еднакви размери с луминесцентни тръби Т8/Т5 LED произвежда същото количество светлина с до 55% икономия на електроенергия. Дългият живот на модула (до 70 000 часа) елиминира разходите за подмяна на луминесцентни тръби. Съвместявайки уникална конструкция, вградена огледална оптика, високоефективен разсейвател и светодиоди от последно поколение, модулът притежава ефективност до 100 lm/W и е напълно съвместим с всички 24 V (36 V като опция) LED захранвания", заявиха от компанията.
Т8/Т5 LED получи отличие за иновация на Международния технически панаир в Пловдив.
Източник: Ромтех-3ЕСКлючови думи: Ромтех-3ЕС LED луминесцентна тръба Т8/Т5
Област: Технологии
Премиера за SPoE референтен дизайн и други иновации от Wuerth Elektronik на embedded world 2025
Доставките на Mini LED продукти ще започнат да се възстановяват в световен мащаб през 2024 г.
Farnell разширява партньорството с ams Osram
Пазарът на Micro LED чипове е готов да расте със зашеметяваща скорост
Пълната гама UV-C светодиоди OSLON на ams OSRAM вече се предлага от Farnell
АБОНИРАЙТЕ СЕ за единствения у нас тематичен бюлетин НОВИНИТЕ ОТ ЕЛЕКТРОНИКАТА на специализирания портал Electronics-Bulgaria.com. БЕЗПЛАТНО, професионално, всяка седмица на вашия мейл!
29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография

29.09.2026 | Изследователи от EPFL представиха нов клас високоефективни GaN транзистори
14.09.2026 | Финландски стартъп привлече финансиране от 2,6 млрд. евро за създаването на нов клас транзистори
10.07.2026 | IBM представи първия технологичен процес за производство на чипове с резолюция под 1 nm
07.07.2026 | Монокристален диамант драстично ще подобри производителността на GaN транзисторите
09.06.2026 | Imec демонстрира кюбитно устройство с квантови точки, изработено чрез High NA EUV литография
Специализиран портал от групата IndustryInfo.bg
Действителни собственици на настоящото издание са Теодора Стоянова Иванова и Любен Георгиев Георгиев
ПОЛИТИКА ЗА ПОВЕРИТЕЛНОСТ И ЗАЩИТА НА ЛИЧНИТЕ ДАННИ
Условия за ползване
Изисквания и условия за реклама
Карта на сайта
© Copyright 2010 - 2026 ТИ ЕЛ ЕЛ МЕДИА ООД. Всички права запазени.